1907  El científico británico Henry Joseph Round descubrió que se puede encontrar luminiscencia en cristales de carburo de silicio cuando se aplica corriente.

1927  El científico ruso Oleg Lossew observó una vez más el “efecto redondo” de la emisión de luz.Luego examinó y describió este fenómeno con más detalle.

1935 El científico francés Georges Destriau publicó un informe sobre el fenómeno de luminiscencia electrónica del polvo de sulfuro de zinc.Para conmemorar a sus predecesores, llamó a este efecto “luz Lossew” y hoy propuso el término “fenómeno de luminiscencia electora”.

1950  El desarrollo de la física de semiconductores a principios de la década de 1950 proporcionó una base teórica para la investigación de los fenómenos elector-ópticos, mientras que la industria de los semiconductores proporcionó obleas semiconductoras puras y dopadas para la investigación de LED.

1962  Nick Holon yak, Jr. y SF Bevacqua de GF Company utilizaron materiales GaAsP para fabricar diodos emisores de luz roja.Este es el primer LED de luz visible, considerado el antepasado del LED moderno.

1965  Comercialización de LED emisores de luz infrarroja y próxima comercialización de LED de arseniuro de galio y fósforo rojo

1968  Aparecieron los LED de arseniuro de galio dopados con nitrógeno

1970s  Hay LED verdes de fosfato de galio y LED amarillos de carburo de silicio.La introducción de nuevos materiales mejora la eficiencia luminosa de los LED y amplía el espectro luminoso de los LED a luz naranja, amarilla y verde.

1993  Nakamura Shuji de Nichia Chemical Company y otros desarrollaron el primer LED azul brillante de nitruro de galio y luego utilizaron un semiconductor de nitruro de indio y galio para producir LED ultravioleta, azul y verde ultrabrillantes, utilizando fosfuro de aluminio, galio e indio.También se diseñó un LED blanco.

1999  Comercialización de LEDs con potencia de salida hasta 1W

Actualmente La industria LED global tiene tres rutas técnicas.La primera es la ruta del sustrato de zafiro representada por la japonesa Nichia.Actualmente es la tecnología más utilizada y madura, pero su desventaja es que no se puede fabricar en grandes tamaños.La segunda es la ruta de la tecnología LED con sustrato de carburo de silicio representada por American CREE Company.La calidad del material es buena, pero su coste es alto y es difícil conseguir un tamaño grande.La tercera es la tecnología LED con sustrato de silicio inventada por China Jingneng Optoelectronics, que tiene las ventajas de un bajo costo de material, buen rendimiento y fabricación a gran escala.