1907  Henry Joseph Round zientzialari britainiarrak aurkitu zuen silizio karburoko kristaletan lumineszentzia aurki daitekeela korrontea aplikatzen denean.

1927  Oleg Lossew zientzialari errusiarrak argi-igorpenaren "efektu biribila" ikusi zuen berriro.Gero, fenomeno hau zehatzago aztertu eta deskribatu zuen

1935 Georges Destriau zientzialari frantziarrak zink sulfuro hautsaren hautesle-lumineszentzia fenomenoari buruzko txostena argitaratu zuen.Aurrekoak oroitzeko, efektu horri "Losew argia" izena jarri zion eta gaur egun "elektor-lumineszentzia fenomenoa" terminoa proposatu zuen.

1950  Erdieroaleen fisikaren garapenak 1950eko hamarkadaren hasieran oinarri teorikoen ikerketak eman zituen hautesle-optikoen fenomenoetarako, erdieroaleen industriak, berriz, erdieroale hutsak eta dopatuak LED ikerketarako.

1962  GF Company-ko Nick Holon yak, Jr. eta SF Bevacquak GaAsP materialak erabili zituzten argi-igorpen-diodo gorriak egiteko.Hau argi ikusgai dagoen lehen LEDa da, LED modernoaren arbasotzat hartzen dena

1965  Argi infragorria igortzen duen LEDaren merkaturatzea eta fosforo gorriko galio arseniuroaren LEDaren merkaturatzea laster

1968  Nitrogenoz dopatutako galio arseniuroko LEDak agertu ziren

1970s  Galio fosfato LED berdeak eta silizio karburo LED horiak daude.Material berriak sartzeak LEDen argi-eraginkortasuna hobetzen du eta LEDen argi-espektroa argi laranja, horia eta berdea luzatzen du.

1993  Nichia Chemical Company-ko Nakamura Shuji-k eta beste batzuek lehen galio nitruro urdin distiratsuko LEDa garatu zuten, eta, ondoren, indio galio nitruroaren erdieroalea erabili zuten ultramore, urdin eta berdeen LED ultra distiratsuak sortzeko, aluminio galio indio fosfuroa erabiliz Erdieroaleak LED gorri eta horia distiratsuak sortu zituen.LED zuri bat ere diseinatu zen.

1999  1W arteko irteerako potentzia duten LEDen komertzializazioa

Gaur egun LED industria globalak hiru bide tekniko ditu.Lehenengoa, Japoniako Nichiak irudikatzen duen zafiroaren substratuaren ibilbidea da.Gaur egun teknologiarik erabiliena eta helduena da, baina bere desabantaila da ezin dela tamaina handietan egin.Bigarrena, American CREE konpainiak ordezkatzen duen silizio karburoko substratuko LED teknologiaren ibilbidea da.Materialaren kalitatea ona da, baina materialaren kostua altua da eta zaila da tamaina handia lortzea.Hirugarrena China Jigneng Optoelelectronics-ek asmatutako silizio substratuko LED teknologia da, materialaren kostu baxua, errendimendu ona eta eskala handiko fabrikazioaren abantailak dituena.