1907년  영국 과학자 헨리 조셉 라운드(Henry Joseph Round)는 전류가 가해질 때 탄화규소 결정에서 발광이 발견될 수 있음을 발견했습니다.

1927년  러시아 과학자 Oleg Lossew는 빛 방출의 "둥근 효과"를 다시 한 번 관찰했습니다.그런 다음 그는 이 현상을 더 자세히 조사하고 설명했습니다.

1935년 프랑스 과학자 Georges Destriau는 황화아연 분말의 전자발광 현상에 관한 보고서를 발표했습니다.그는 선배들을 기념하기 위해 이 효과를 '로소광(Lossew light)'이라고 명명하고 오늘날 '선광발광 현상'이라는 용어를 제안했습니다.

1950년  1950년대 초 반도체 물리학의 발전은 전기 광학 현상에 대한 이론적 기초 연구를 제공했으며, 반도체 산업은 LED 연구를 위한 순수 도핑된 반도체 웨이퍼를 제공했습니다.

1962년  GF Company의 Nick Holon yak, Jr.와 SF Bevacqua는 GaAsP 재료를 사용하여 적색 발광 다이오드를 만들었습니다.최초의 가시광선 LED로 현대 LED의 시조로 불린다.

1965년  적외선발광 LED 상용화, 적인갈륨비소 LED 상용화 곧

1968년  질소 도핑된 갈륨비소 LED 등장

1970년s  갈륨 인산염 녹색 LED와 실리콘 카바이드 노란색 LED가 있습니다.새로운 소재의 도입으로 LED의 발광 효율이 향상되고 LED의 발광 스펙트럼이 주황색, 노란색, 녹색광으로 확장됩니다.

1993년  니치아화학공업(Nichia Chemical Company)의 나카무라 슈지(Nakamura Shuji) 등은 최초의 밝은 청색 질화갈륨 LED를 개발한 후, 인듐갈륨 질화물 반도체를 사용하여 초고휘도 자외선, 청색 및 녹색 LED를 생산했으며, 알루미늄갈륨인듐인화물을 사용하여 반도체는 매우 밝은 적색 및 황색 LED를 생산했습니다.백색 LED도 디자인되었습니다.

1999년  최대 출력 1W LED 상용화

현재 글로벌 LED 산업에는 세 가지 기술 경로가 있습니다.첫 번째는 일본 니치아로 대표되는 사파이어 기판 루트다.현재 가장 널리 사용되고 가장 성숙한 기술이지만, 큰 사이즈로 만들 수 없다는 것이 단점이다.두 번째는 미국 CREE사로 대표되는 탄화규소 기판 LED 기술 루트다.재료의 질은 좋으나 재료비가 비싸고 대형화가 어렵다.세 번째는 China Jingneng Optoelectronics가 개발한 실리콘 기판 LED 기술로, 재료비가 저렴하고 성능이 좋으며 대규모 제조가 가능하다는 장점이 있습니다.