1907  De britesche Wëssenschaftler Henry Joseph Round huet entdeckt datt d'Lumineszenz a Siliziumkarbidkristalle fonnt ka ginn wann Stroum applizéiert gëtt.

1927  De russesche Wëssenschaftler Oleg Lossew huet nach eng Kéier de "Round Effekt" vun der Liichtemissioun observéiert.Duerno huet hien dëst Phänomen méi detailléiert ënnersicht a beschriwwen

1935 De franséische Wëssenschaftler Georges Destriau huet e Bericht iwwer d'Wieler-Lumineszenz-Phänomen vum Zinksulfidpulver publizéiert.Fir d'Virgänger ze gedenken, huet hien dësen Effekt "Lossew Light" genannt an de Begrëff "Wieler-Lumineszenz-Phänomen" haut proposéiert.

1950  D'Entwécklung vun der Halbleiterphysik an de fréie 1950er huet theoretesch Basisfuerschung fir elektoroptesch Phänomener geliwwert, während d'Halbleiterindustrie reng, dotéiert Hallefleitwafere fir LED Fuerschung zur Verfügung gestallt huet.

1962  Nick Holon Yak, Jr.. an SF Bevacqua vun GF Company benotzt GaAsP Material fir e maachen rout Liichtjoer emittéiert diodes.Dëst ass déi éischt siichtbar Luucht LED, als Virfahre vun modern LED ugesi

1965  Kommerzialiséierung vun Infrarout Liicht emittéierend LED, a Kommerzialiséierung vu roude Phosphor Gallium Arsenid LED geschwënn

1968  Stickstoff-dotéierte Galliumarsenid LEDs erschéngen

1970s  Et gi Galliumphosphatgréng LEDs a Siliziumkarbid giel LEDs.D'Aféierung vun neie Materialien verbessert d'Liichteffizienz vun LEDs a verlängert de Liichtspektrum vun LEDs op orange, giel a gréng Luucht.

1993  D'Nichia Chemical Company's Nakamura Shuji an anerer hunn déi éischt hell blo Galliumnitrid LED entwéckelt, an dann Indium Gallium Nitride Semiconductor benotzt fir ultra-hell ultraviolet, blo a gréng LEDs ze produzéieren, mat Aluminium Gallium Indium Phosphid.Eng wäiss LED gouf och entworf.

1999  Kommerzialiséierung vu LEDs mat Ausgangsleistung bis zu 1W

Momentan Déi global LED Industrie huet dräi technesch routes.Déi éischt ass d'Saphir Substratroute representéiert vum Japanesche Nichia.Et ass de Moment déi meescht benotzt an déi meescht reift Technologie, awer säin Nodeel ass datt et net a grousse Gréissten gemaach ka ginn.Déi zweet ass d'Silicon Carbide Substrat LED Technologie Wee representéiert vun American CREE Company.D'Materialqualitéit ass gutt, awer seng Materialkäschte sinn héich an et ass schwéier grouss Gréisst z'erreechen.Déi drëtt ass d'Silicon Substrat LED Technologie erfonnt vun China Jingneng Optoelectronics, déi d'Virdeeler vun niddereg Material Käschten, gutt Leeschtung, a grouss-Skala Fabrikatioun huet.