1907 m  Britų mokslininkas Henry Josephas Roundas atrado, kad silicio karbido kristaluose galima aptikti liuminescenciją, kai veikia srovė.

1927 m  Rusų mokslininkas Olegas Lossew dar kartą pastebėjo šviesos emisijos „apvalų efektą“.Tada jis išsamiau išnagrinėjo ir aprašė šį reiškinį

1935 m Prancūzų mokslininkas Georgesas Destriau paskelbė pranešimą apie cinko sulfido miltelių elektorių liuminescencijos reiškinį.Siekdamas paminėti pirmtakus, jis pavadino šį efektą „Lossew light“ ir šiandien pasiūlė terminą „elektorių liuminescencijos reiškinys“.

1950 m  Puslaidininkių fizikos plėtra šeštojo dešimtmečio pradžioje suteikė teorinį pagrindą elektoroptinių reiškinių tyrimams, o puslaidininkių pramonė suteikė grynų, legiruotų puslaidininkių plokštelių LED tyrimams.

1962 m  Nick Holon Yak, Jr. ir SF Bevacqua iš GF Company naudojo GaAsP medžiagas raudonos šviesos diodams gaminti.Tai pirmasis matomos šviesos LED, laikomas šiuolaikinio LED protėviu

1965 m  Netrukus infraraudonųjų spindulių šviesos diodų komercializavimas ir raudonojo fosforo galio arsenido LED komercializavimas

1968 metai  Atsirado azoto legiruoto galio arsenido šviesos diodai

1970 ms  Yra galio fosfato žalios šviesos diodai ir silicio karbido geltoni šviesos diodai.Naujų medžiagų pristatymas pagerina šviesos diodų šviesos efektyvumą ir išplečia šviesos diodų šviesos spektrą iki oranžinės, geltonos ir žalios šviesos.

1993 m  Nichia Chemical Company Nakamura Shuji ir kiti sukūrė pirmąjį ryškiai mėlyną galio nitrido šviesos diodą, o po to panaudojo indžio galio nitrido puslaidininkį, kad pagamintų itin ryškius ultravioletinius, mėlynus ir žalius šviesos diodus, naudodami aliuminio galio indžio fosfidą. Puslaidininkis gamino itin ryškius raudonus ir geltonus šviesos diodus.Taip pat buvo sukurtas baltas šviesos diodas.

1999 m  Šviesos diodų su išėjimo galia iki 1W komercializavimas

Šiuo metu Pasaulinė LED pramonė turi tris techninius kelius.Pirmasis yra safyro substrato kelias, kurį atstovauja Japonijos Nichia.Šiuo metu tai plačiausiai naudojama ir brandžiausia technologija, tačiau jos trūkumas yra tas, kad jos negalima pagaminti didelių dydžių.Antrasis yra silicio karbido substrato LED technologijos kelias, atstovaujamas American CREE Company.Medžiagos kokybė yra gera, tačiau jos medžiagos kaina yra didelė ir sunku pasiekti didelį dydį.Trečiasis yra silicio substrato LED technologija, kurią išrado „China Jingneng Optoelectronics“, kuri pasižymi mažomis medžiagų sąnaudomis, geru našumu ir didelio masto gamyba.