1907  İngiliz bilim adamı Henry Joseph Round, akım uygulandığında silisyum karbür kristallerinde ışıldamanın bulunabileceğini keşfetti.

1927  Rus bilim adamı Oleg Lossew, ışık emisyonunun “Yuvarlak etkisini” bir kez daha gözlemledi.Daha sonra bu olguyu daha ayrıntılı olarak inceleyip tanımladı.

1935 Fransız bilim adamı Georges Destriau, çinko sülfit tozunun seçmeli lüminesans fenomeni hakkında bir rapor yayınladı.Seleflerini anmak için bu etkiyi “Lossew ışığı” olarak adlandırdı ve bugün “seçim-ışıma fenomeni” terimini önerdi.

1950  1950'lerin başında yarı iletken fiziğinin gelişimi, elektriksel-optik olaylar için teorik temel araştırmaları sağlarken, yarı iletken endüstrisi LED araştırmaları için saf, katkılı yarı iletken levhalar sağladı.

1962  GF Company'den Nick Holon yak, Jr. ve SF Bevacqua, kırmızı ışık yayan diyotlar yapmak için GaAsP malzemelerini kullandı.Bu, modern LED'in atası olarak kabul edilen ilk görünür ışık LED'idir.

1965  Kızılötesi ışık yayan LED'in ticarileştirilmesi ve kırmızı fosfor galyum arsenit LED'in yakında ticarileştirilmesi

1968  Azot katkılı galyum arsenit LED'leri ortaya çıktı

1970s  Galyum fosfat yeşil LED'leri ve silisyum karbür sarı LED'leri vardır.Yeni malzemelerin piyasaya sürülmesi, LED'lerin ışık verimliliğini artırıyor ve LED'lerin ışık spektrumunu turuncu, sarı ve yeşil ışığa kadar genişletiyor.

1993  Nichia Chemical Company'den Nakamura Shuji ve diğerleri ilk parlak mavi galyum nitrür LED'i geliştirdiler ve ardından alüminyum galyum indiyum fosfit kullanarak ultra parlak ultraviyole, mavi ve yeşil LED'ler üretmek için indiyum galyum nitrür yarı iletken kullandılar. Yarı iletken, süper parlak kırmızı ve sarı LED'ler üretti.Beyaz bir LED de tasarlandı.

1999  Çıkış gücü 1W'a kadar olan LED'lerin ticarileştirilmesi

Şu anda Küresel LED endüstrisinin üç teknik yolu vardır.Bunlardan ilki, Japonya'nın Nichia'sının temsil ettiği safir substrat rotasıdır.Şu anda en yaygın kullanılan ve en olgun teknolojidir ancak dezavantajı büyük boyutlarda yapılamamasıdır.İkincisi, Amerikan CREE Şirketi tarafından temsil edilen silisyum karbür substrat LED teknolojisi rotasıdır.Malzeme kalitesi iyi ancak malzeme maliyeti yüksek ve büyük boyuta ulaşmak zor.Üçüncüsü, düşük malzeme maliyeti, iyi performans ve büyük ölçekli üretim avantajlarına sahip olan, China Jingneng Optoelectronics tarafından icat edilen silikon substrat LED teknolojisidir.